離子刻蝕機(jī)RIE-1C
設(shè)定好工藝配方后“一鍵式”操作
可處理一片4英寸晶片或多枚切片
工藝完成時(shí)響鈴?fù)ㄖ?/p>
安全設(shè)施以保護(hù)操作員和設(shè)備
緊湊式設(shè)計(jì)
小體積可節(jié)省空間
菜單
去層研磨鑲嵌
設(shè)定好工藝配方后“一鍵式”操作
可處理一片4英寸晶片或多枚切片
工藝完成時(shí)響鈴?fù)ㄖ?/p>
安全設(shè)施以保護(hù)操作員和設(shè)備
緊湊式設(shè)計(jì)
小體積可節(jié)省空間
RIE-1C是一種緊湊的反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)。該系統(tǒng)是潔凈室空間有限的實(shí)驗(yàn)室的理想解決方案，其設(shè)計(jì)可優(yōu)化刻蝕速率、均勻性和選擇性，尤其適合去除IC失效分析中的鈍化層。
RIE-1C是一種氟基蝕刻系統(tǒng)，也可用于蝕刻硅基薄膜、難熔金屬、金屬硅化物和旋涂玻璃。配方設(shè)置完成，按一下按鈕就可以開始完整的基板/設(shè)備處理。
1、刻蝕鈍化材料如氮化硅、二氧化硅和氧氮化硅。
2、金屬間介電層的刻蝕及剖面調(diào)整。
3、失效分析用集成電路板上殘留封裝材料的刻蝕。
4、光刻膠和聚酰亞胺的刻蝕。
5、硅、多晶硅、難熔金屬、硅化金屬、旋涂玻璃等的刻蝕。
1、設(shè)定好工藝配方后“一鍵式”操作。
2、可處理一片4英寸晶片或多枚切片。
3、工藝完成時(shí)響鈴?fù)ㄖ?/p>
4、安全設(shè)施以保護(hù)操作員和設(shè)備。
5、緊湊式設(shè)計(jì)。
6、小體積可節(jié)省空間。
反應(yīng)室 | 石英，?212 mm |
上下電極 | ?120mm、水冷 |
射頻功率 | 13.56MHz，200W晶體振蕩，手動(dòng)匹配 |
進(jìn)氣管 | 2條 |
壓力測(cè)量 | 隔膜表（0~2.66x 102 Pa） |
真空系統(tǒng) | 干泵（500L/min） |
尺寸 | 主機(jī)：400毫米（寬）x 440毫米（深）x 325毫米（高） |
支架：400 mm（寬）x 620 mm（深）x 798 mm（高） |
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